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硅氧化層的另一個重要作用是保護和鈍化表面。
氧化層表面的穩定性優予未氧化的表面。硅氧化層的
化學結構與硅玻璃一樣,所以氧化層似乎能夠較好地隔絕周圍
的雜質。可以說,這一前景被平面技術實現了(盡管硅器件還依
靠封裝來避免外界的影響)。此外,在電氣性能上,平面器件比
表面沒有氧化層保護的器件在性能上有比較顯著韻提高。
氧化層也可以用作硅片與制作在氧化層上的薄膜器件和布
線之間的絕緣層。最近,它還用作制作(隱埋)在無源硅支持結構
內的有源硅元件之間的隔離薄膜或構成有源器件結構的一部分
(例如,表面場效應MOS晶體管)。
“熱氧化層”是指硅與氧氣、水或其它含氧化合物在熱激發
反應中所形成的氧化層。這個定義不僅包括硅在蒸汽或氧氣中
開管熱氧化,還包括高壓氧化和“加速”氧化的專門技術。
陽極氧化層是指通過電場作用使可動離子在氣態或液態介
質中遷移所產生的氧化層。
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