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本文標題："器件尺寸小于光學分辨率就需要使用電子顯微鏡"
新聞來源：未知 發布時間：2015-7-27 16:01:00 本站主頁地址：http://www.027toilet.cn
器件尺寸小于光學分辨率就需要使用電子顯微鏡
光刻或光掩蔽是采用通常稱力“光刻膠”的感光材料，涂覆在
二氧化硅或鋁金屬化表面薄層上，開出精確尺寸窗口的工藝。其操
作步驟是，將光刻膠涂覆在硅片表面+然后通過一塊精密的照相掩
模版對光刻膠進行曝光，顯影光刻膠中的圖形，最后腐蝕二氧化硅
以開出窗口。最近有的廠家采用改裝的掃描電子顯微鏡，由計算機
控制電子束對“電子光刻膠”進行曝光。X射線亦可用來曝光光刻
膠。采用這兩種技術制造出來的器件尺寸小于光學分辨率的極限。
擴散是在暴露于外表的硅中而不是在覆蓋的氧化層中進行的。
當用于淀積的金屬層時，不需要的區域被去除，僅留下電路“連線
”用的互連圖形。金屬化工藝中通常使用的是鋁。
因為制造典型的雙極型集成電路通常需要完成埋層擴散、隔離
擴散，基區與電阻器擴散、發射區擴散、連接電路元件的接觸窗口
(預歐姆)、互連圖形和鈍化層中的接觸壓點窗口這幾個操作步驟，
所以，制造完整的電路顯然至少需要七次光刻。由于電路所占的面
積很小(0．040至0．300平方英寸)，V話且元件尺寸的容差是以萬
分之一英寸(0．0001英寸＝2．5微米)來計算的，故每次光刻的掩
模必須精確地套準硅片上的圖形。此外，光刻工藝中的每一步都必
須仔細地進行，以保持所需的尺寸控制。
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