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本文標題："AFM顯微鏡量測CD線寬量測技術簡介"
新聞來源：未知 發布時間：2013-5-29 0:36:59 本站主頁地址：http://www.027toilet.cn
AFM顯微鏡量測CD線寬量測技術簡介
I.納米繞射及散射線寬量測技術
(1) AFM 量測 CD 線寬量測技術，建置前后傾斜所需調整機構，再以縫補技術補償誤差，
發展 AFM 探針輪廓量測技術，補償 AFM 探針輪廓外形誤差，可與縫補技術補償誤
差方法比對驗證，以提高 AFM 量測 CD 線寬量測技術之精度。
(2)光學式量測線寬，將購入調變式干涉顯微鏡，需了解其量測原理與光學結構，以做為
評估量測誤差分析之依據，了解光學量測方法之最佳能力與限制條件。
II.階高標準片(介于 1-100 μm)研制
FY96 將進行開發半導體制程研制 50 nm~500 nm 階高標準片，同時進行測試將
FY95 完成之 1-100 μm 階高標準，切割標準片，可降低成本外，整體尺寸與重量都能大
幅降低，以線切割方式，將階高標準片浸于冷卻液，避免高溫，加工屑料損傷鏡面，加
工完成后，再以超音波清潔油污與殘屑。
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Ⅲ 連續角度原級標準研制
連續角度原級標準研制于 FY95 完成，后續將會應用此項成果于國家標準實驗室之
校正，應用小角度干射儀量校正自動視準儀。
IV. 納米微粒量測系統研制
納米粒徑量測系統建置中的系統主要都是針對溼式聚苯乙烯的標準粉體，量測系統
包括已完成的動態光散射儀、今年購入的電氣遷移率法(DMA)、及 FY96 建置的的電重
力平衡法(EAB)。產業的需求除聚苯乙烯標準粉體外，也希望能針對一般納米粉體如
TiO2、氧化鋅、納米金、及納米銀等，另外乾式粉體及納米粉體的安全性也是未來的研
究重點。
V.納米薄膜量測標準研制和 particles on wafer
FY96 之重點為增加納米薄膜量測標準系統的能量。評估之重點為: X-ray wavelength
之追溯、校正系統評估方法設計、薄膜介面粗度、等效薄膜等、量測軟體之追溯等。順
利完成上述工作重點，建立光學式薄膜厚度量測系統，量測二氧化矽薄膜厚度 1.5 nm-200
nm，最佳量測不確定度 0.4 nm+0.5%。
就晶圓表面納米微粒量測技術而言，量測的準確度決定于一是表面納米微粒量測，
另一是微粒粒徑的校正與追溯。在 FY96，建立光學量測系統，測試系統之功能與能力，
建立表面納米微粒量測能力可達 1000 nm
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