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本文標題："底柵型結構工序電路樣本分析圖像顯微鏡廠家"
新聞來源：未知 發布時間：2019-3-1 4:01:42 本站主頁地址：http://www.027toilet.cn
底柵型結構工序電路樣本分析圖像顯微鏡廠家
頂柵型結構的缺點主要是：由于半導體層是在第一層放置的，因此有
可能會受到后續工藝過程中熱循環和溶劑的影響，從而降低晶體管的性能
。
而在底柵型結構中，一方面由于印刷半導體一般是最后一步工序，唯
一可能的后續步驟是包覆一層保護電路的絕緣層。因此，底柵型結構中半
導體材料 園可以保持較高的性能。另一方面，由于底柵型結構的晶體管
中，半導體層是在柵極和電極之后印刷的，因此相較于頂柵型結構晶體管
而言，半導體層所依附的界面相對粗糙，性能不夠理想。所以，相對于優
化的頂柵型結構而言，底柵型結構晶體管的半導體層的秩序化程度和形貌
較差。
因此，綜合來講，兩種晶體管各有優缺點。究竟選取哪種結構取決于
所采用的材料體系。例如，當采用燒結步驟，而且半導體熱不穩定時，更
適合采用底柵型結構，這是因為后續的燒結步驟會降低頂柵型結構晶體管
中半導體性能。鑒于這種狀況，我們有必要單獨討論這兩種結構，并明確
與之相關聯的特殊工藝過程。
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